Halbleiterbauelement

Semiconductor component used as a rectifier comprises a semiconductor chip, an anode, a cathode, a first layer section, a second layer section and a third layer section arranged parallel to each other; a cathode layer and a drift layer

Abstract

Ein Halbleiterbauelement umfaßt: einen Halbleiterchip mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche, die einander gegenüberliegen, eine Anodenelektrode auf der ersten Hauptfläche, eine Kathodenelektrode auf der zweiten Hauptfläche, einen ersten Schichtenabschnitt, einen zweiten Schichtenabschnitt und einen dritten Schichtenabschnitt, die parallel zueinander angeordnet sind, wobei sich der zweite Schichtenabschnitt zwischen dem ersten und dem dritten Schichtenabschnitt befindet, der erste, der zweite und der dritte Schichtenabschnitt, eine gemeinsame, mit der Kathodenelektrode in Kontakt stehende Kathodenschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps und auf dieser eine gemeinsame Driftschicht des ersten Leitfähigkeitstyps aufweisen, wobei die Driftschicht leichter als die Kathodenschicht dotiert ist, und wobei der erste Schichtenabschnitt ferner auf der Driftschicht eine Anodenschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, die stärker als die Driftschicht dotiert ist und mit der Anodenelektrode in Kontakt steht, der zweite Schichtenabschnitt ferner einen Schottky-Übergang zwischen der Driftschicht und der Anodenelektrode aufweist, und der dritte Schichtenabschnitt ferner einen Isolierfilm zwischen der Driftschicht und der Anodenelektrode aufweist.
Semiconductor component comprises a semiconductor chip with a first and second main surface; an anode (4) on the first main surface; a cathode (5) on the second main surface; a first layer section, a second layer section and a third layer section arranged parallel to each other; a cathode layer (3) and a drift layer (2). The first layer section has an anode layer (1) which is doped more strongly than the drift layer and is in contact with the anode. The second layer section further comprises a Schottky transition (7) between the drift layer and the anode. The third layer section has an insulating film (6) between the drift layer and the anode. Preferred Features: The insulating film is a silicon oxide film or polyimide film.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle